据中航光电官微消息，5月8日，中航光电基础器件产业园落成投产仪式在洛阳本部杜预街厂区全球营销中心大楼前隆重举行。据悉，该基础器件产业园项目于2022年4月28日全面开工，项目总投资22.69亿元，占地211亩，总规划建设科研生产面积约28万平方米。旨在提升公司光互连、光电转换、液冷散热等产品的研发及生产能力，促进公司业务由“元件”向“器件”转变，助力打造特种领域首选互连方案提供商，同时也为助推全球

近日，联发科官方宣布将于5月7日举办天玑开发者大会(MDDC)，并在活动上推出其最新的天玑9300 Plus处理器，预计vivo X100s将成为首批搭载该芯片的手机产品。据悉，该款芯片基于台积电4nm工艺打造，采用四颗超大核+四颗大核组合架构。天玑9300 Plus处理器作为天玑9300的升级加强版，在配置和性能上均有了显著提升。采用了高性能的Cortex-X4超大核设计，主频高达3.4GHz，

自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。该交易预计将于2024年7月完成，之后，Odyssey的所有关键员工预计将加入PI的技术团队。声明中称，此次收购将有力支持公司正在进行的专有PowiGaN™技术的开发路线图。该技术已广泛应用于公司的众多产品系列，包括InnoSwitch

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有

来源：美光美光再创行业里程碑，率先验证并出货 128GB DDR5 32Gb 服务器 DRAM，满足内存密集型生成式 AI 应用对速率和容量的严苛要求Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达 5,600 MT/s。该款 128G

据日媒报道，晶圆代工厂力积电(PSMC)与SBI控股曾宣布，将合资设立JSMC首座晶圆厂。而SBI控股会长兼社长北尾吉孝近日透露，有意将新厂生产时间提前一年。对此，力积电并未对投产时间作出回应，但表示将全力对该厂提供技术援助。据悉，该晶圆厂选定日本宫城县黑川区大衡村的第二北仙台中央工业园区，计划2024年开始建厂，生产55nm至28nm的运算处理芯片，为包括汽车在内的各行业使用的芯片提供更稳定的供

来源：上海微技术工研院近年来，随着集成电路技术和微机电系统（MEMS）技术的飞速发展，非制冷红外焦平面阵列探测器技术日趋成熟，系列化产品也逐步实现大规模量产。上海工研院聚焦“超越摩尔”集成电路核心工艺研发，并于2018年开始布局非制冷红外探测器技术。经过多年的技术研发和攻关，建立由标准模块工艺组成的红外传感器成套工艺平台。上海工研院已经为多家重要客户提供非制冷红外探测器通用工艺和定制化工艺服务，包

来源：筑波网络科技图: 筑波网络科技总经理张佳楙 (左), LitePoint总裁John Lukez (中), 筑波网络科技许深福董事长 (右)筑波网络科技(ACE Solution) 是软硬件整合的专家，而莱特菠特 (LitePoint) 致力于提供最先进的无线测试解决方案，为现今蓬勃发展的无线技术、具挑战性的设备环境和庞大市场需求的领先者。John Lukez莅临筑波网络科技并提供无线测试领

新思科技携手台积公司共同开发人工智能驱动的芯片设计流程以优化并提高生产力，推动光子集成电路领域的发展，并针对台积公司的2纳米工艺开发广泛的IP组合摘要：由Synopsys.ai™ EDA套件赋能可投产的数字和模拟设计流程能够针对台积公司N3/N3P和N2工艺，助力实现芯片设计成功，并加速模拟设计迁移。新思科技物理验证解决方案已获得台积公司N3P和N2工艺技术认证，可加速全芯片物理签核。新思科技3D

是德科技（Keysight Technologies, Inc.）、新思科技和Ansys联合推出了一个全新的集成射频（RF）设计迁移流程，帮助台积电从N16 制程升级至N6RF+ 技术，以满足当今无线集成电路应用对功耗、性能和面积（PPA）的严苛要求。新迁移流程将是德科技、新思科技和Ansys 的毫米波（mmWave）与射频解决方案集成到了一个高效的设计流程中，简化了无源器件的再设计过程，也优化了