来源：Digitimes Asia半导体行业传统上是在纳米尺度上进行的，而现在正将边界推向更小的“埃”尺度（十分之一纳米），中国台湾国立成功大学的一支创新团队已经制作出自组装设备，实现了这一前所未有的精度。他们的突破性方法可以使纳米凹槽内的微小半导体分子自动有序排列。突破瓶颈成大材料系助理教授徐邦昱（Hsu Bang-Yu）介绍，目前半导体制程是依赖于通过高真空外延设备，在微小衬底上生长晶体，并精

来源：Silicon SemiconductorSkyWater位于明尼苏达的工厂旨在拥有世界上最先进的200毫米光刻技术。SkyWater Technology已从 Multibeam Corp. 获得首款用于批量生产的多柱电子束光刻 (MEBL) 系统。Multibeam (MB) 平台是半导体行业的里程碑，它提供了一种高吞吐量直接写入图案化系统，其速度比传统电子束设备快几个数量级，生产效率更

来源：III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构，以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中，III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所 (AIPT) 光子学教授 Richard Hog

近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）官方微信消息，其标准化委员会（CASAS）公布了13项标准新进展，包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见、9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。012项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草

转自：北京亦庄7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司（以下简称“芯合半导体”）发布自主研发生产的SiC SBD（碳化硅二极管）、SiC MOSFET（碳化硅三极管）两个系列的多款碳化硅功率器件，为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重要半导体器件，SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅（Si

来源：芯智讯当地时间7月26日，美国拜登政府宣布，美国商务部和半导体封测大厂安靠（Amkor）签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 （PMT）。美国商务部将根据《芯片与科学法案》提供高达 4 亿美元的拟议直接资金。这笔拟议的资金将支持安靠在亚利桑那州皮奥里亚的一个绿地项目投资约 20 亿美元和 2,000 个工作岗位，该项目将为世界上最先进的半导体提供完整的端到端先进封装，用于高性能计算、人工智能

来源：天门日报；作者：杨蜜日前，走进湖北科瑞半导体技术有限公司无尘恒温生产车间，一台台装片、焊线、塑封、测试等设备高速运转，工人在岗位上加紧生产。 “产品经过装片、焊线、前烘、塑封、打标、后固化、切中筋、电镀、外检、切粒、测试、包装等一系列工序后离开生产线，发往珠三角地区，今年我们的订单饱和。”公司生产负责人唐骄介绍。 科瑞半导体主要从事半导体功率器件的研发与封装测试，产品广泛应用于汽车电子、绿色

来源：工商时报英特尔主推的AI加速器Gaudi 3，采用台积电5nm制程打造，被视为其技术实力的重要展现。尽管目前仍要借助台积电的代工，英特尔的追赶计划已跨大脚步进行，市场传出台积电赴美建厂以来，英特尔随即启动「抢人才」计划，大量招募台积电的资深工程师，但英特尔下一代芯片命名Falcon Shore，还是会委托台积电代工，双方目前存在既竞争又合作的微妙关系。加强与中国台湾的上游企业合作，仍是英特尔

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向随着自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）的发展而需求不断增长的高速车载通信系统，开发出支持CAN FD（CAN with Flexible Data rate）*1总线端口保护的双向TVS（ESD保护）二极管*2“ESDCANxx系列”。CAN FD是车载ECU（电子控制单元）之间实时且安全的数据收发所必需的通信技术。新产品可在不使CAN F

高迎(Koh Young Technology）以世界最先进的Optomechatronics技术和机器视觉技术为基础引领世界市场。公司成立于2002年，凭借独特的基于三维测量的检测解决方案，克服了不同行业在生产现场的各种检测难题，通过智能工厂解决方案实现质量管理和工艺优化，为实现智能工厂发挥了关键作用。高迎宣布将参加 9月4日至6日在台北南港展览中心举行的 SEMICON TAIWAN 2024