根据韩国中央日报报道，由于台积电的产能面临极度紧绷的状态，美国各大科技厂商纷纷开始排队寻求其他晶圆代工产能的支持。在此强烈需求的背景下，韩国三星正积极筹备，准备在其位于美国德州泰勒市的庞大半导体园区内，着手兴建第二座晶圆厂(Fab 2)。报道指出，根据泰勒市议会所披露的官方文件，这座备受瞩目的第二座晶圆厂建设计划，目前已经正式进入监管审查与准备的初步阶段。日前，泰勒市议会已经无异议全票通过了一项修

2026年，全球存储器行业在AI等需求驱动下进入了高增长周期。随着DRAM与NAND Flash市场供需关系持续紧张，行业主要厂商的业绩大幅提升。美光、三星和SK海力士等大厂披露的财报数据均创下历史新高，显示出行业盈利能力的强劲回升。美光披露最新财报，远超市场预期3月18日，美光科技公布2026财年第二财季（2025年12月至2026年2月）业绩。该季美光科技营收238.6亿美元，同比增长196%

2026年3月25日至27日，全球半导体行业瞩目的SEMICON China 2026将在上海新国际博览中心盛大启幕。作为国内光学量检测装备领域的领军企业，御微半导体将以“在Epsilon的尺度上，构建确定性”为主题，重磅登陆N2馆2531展位。届时，御微将全景呈现其在掩模基板制造、掩模版制造、芯片制造及先进封装四大领域的核心技术突破与全产业链解决方案，向业界展示国产高端量

3月19日，三星电子（Samsung Electronics）通过韩国金融监督院电子公示系统披露监管文件，宣布2026年将在人工智能（AI）半导体领域投入超过110兆韩圜（约合733亿美元），以巩固其在全球AI半导体市场的领先地位，这也是该公司史上最大规模的年度投资。监管文件明确显示，此次110兆韩圜的年度投资，较2025年90.4兆韩圜的资本支出增长21.7%，也是三星电子年度投资额首次突破10

3月18日，三星电子宣布，已与半导体芯片大厂AMD（超威）在三星平泽厂签署了谅解备忘录（MOU），以扩大双方在下一代人工智能内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器AMD Instinct MI455X GPU的HBM4主要供应方面，以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成合作共

近日，国内第三代化合物半导体厂商英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）发生工商变更，注册资本增至44亿元，相较此前的37亿元，增幅达19%。资料显示，英诺赛科成立于2015年，由英诺赛科（苏州）科技股份有限公司全资持股，是氮化镓工艺创新与功率器件制造厂商，其氮化镓产品主要应用于低压、中压和高压产品领域，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源

先前市场消息盛传，ASML准备进军半导体后段设备市场，将聚焦快速成长的先进封装领域。据韩媒The Elec报道，目前公司正在开发混合键合（hybrid bonding）设备，这是下一代芯片封装的关键设备。知情人士透露，ASML已开始设计用于半导体后段工艺的混合键合设备整体架构；此外，ASML近期已与外部合作伙伴展开系统开发。报道指出，潜在合作伙伴包括Prodrive Technologies与VD

近日，特斯拉（Tesla）CEO马斯克（Elon Musk）宣布将打造有史以来最大的晶圆厂「TeraFab」计划，目标年产1太瓦（terawatt）要在太空释放拍瓦级AI运算力，首座Terafab先进技术工厂落脚奥斯汀，并将逻辑芯片、存储器芯片及先进封装整合在同一座厂中。马斯克表示，Terafab计划将由xAI、特斯拉和SpaceX共同参与，目标实现年产1太瓦（terawatt）的AI运算力，涵盖

3月16日，在中关村论坛 “北京基础研究和技术攻关成效” 发布活动上，清华大学材料学院宋成教授团队宣布在新型磁存储领域取得关键突破，为研发兼具超高密度、超快读写与低功耗的新一代磁存储器奠定核心科学基础。近年来，全球数据爆发式增长，传统存储能力已难以为继，内存、硬盘频繁紧缺涨价。在此背景下，具备超高密度、超高速度和超低功耗特性的存储技术，成为新一代信息技术发展的核心需求。宋成

近期，媒体报道，英特尔对外宣布CPU产品线涨价计划，覆盖英特尔主流CPU产品线，包括消费级（如酷睿系列）和部分企业级产品，从入门级到高端旗舰处理器均涉及，自2026年3月底起实施。随着AI技术向推理阶段演进，大量依赖CPU的算力任务（如代理式AI、检索增强生成等）需求大幅增加，企业级CPU订单暴增。为满足企业级市场的高需求，英特尔将产能优先向服务器处理器倾斜，导致消费级CPU供应紧张，进而引发部分