来源：铠侠,BiCS FLASH 3D闪存的特点- EE Times随着人工智能（AI）和数字化转型（DX）导致数据呈指数级增长，NAND闪存已成为一项越来越重要的技术。铠侠株式会社的第八代BiCS FLASH 3D闪存现已量产，它依赖于一种称为CMOS直接键合到阵列（CBA）的新技术。CBA由两个晶圆的高精度键合组成，以提高闪存密度和性能。1.由于数据呈指数级增长，闪存变得越来越重要近年来，由于

随着硅基商用晶体管尺寸的不断缩减，物理极限、功耗和成本等挑战日益凸显，为了满足集成电路对集成度和计算能力的需求，亟需引入新原理、新结构和新材料。半导体型阵列碳纳米管（A-CNT）因其高载流子迁移率、超薄结构和对称能带等优越特性，成为研究的热点。基于A-CNT制备的互补金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOS FET）在电学性能上几乎呈现对称性（Science 368, 850, 2020; Natu

从纳米到埃米，芯片制造商正在竭尽全力缩小电路的尺寸。但对于人们日益增长的算力需求，一项涉及更大尺寸（数百或数千纳米）的技术在未来五年内可能同样重要。这项技术称为直接混合键合（Hybrid Bonding），可在同一封装中将两个或多个芯片堆叠在一起，构建所谓的 3D 芯片。尽管由于摩尔定律逐渐崩溃，晶体管缩小的速度正在变慢，但芯片制造商仍然可以通过其他方式增加处理器和内存中的晶体管数量。今年 5 月

微流控芯片系统（Microfluidic Chip System）如图1所示，又称为芯片实验室（Labona Chip），是一种通过在微米尺度上操纵流体流动，继而进行各种生化分析的实验平台，该平台一般只有几平方厘米大小，可实现规模的集成化，达到多种分析同时进行的效果。微流控芯片技术一般是指利用微尺度下流体的流动性质对物质进行分离、检测并辅以某些主动或被动操作的技术。等离子处理技术是微流控芯片制作过

来源：原子创意 研究背景近年来，随着硅场效应晶体管（FETs）在缩放方面接近其基本极限，新一代半导体通道材料的需求变得尤为迫切。二维材料（2D）如二硫化钼（MoS2），因其原子级薄厚度和高载流子迁移率，显示出在未来晶体管中的巨大潜力。然而，尽管2D材料具备优越的物理和电学特性，适用于它们的高质量介电材料仍然稀缺。这使得基于2D材料的FETs无法实现其理论预测的全部潜力。目前，应用于硅技术的非晶氧化

据芯德科技官微消息，近日，芯德科技扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目主体结构顺利封顶。芯德科技表示，作为一座专注于2.5D/3D等尖端先进封装技术的现代化智能制造工厂，扬州基地的即将投入使用，无疑将为公司注入强大的市场活力，显著增强在先进封装领域的竞争优势。据了解，江苏芯德半导体科技股份有限公司成立于2020年9月，致力于中高端封装测试服务，目前可为客户提供Bumping、WLCSP、Flip Chi

据“东莞发布”公众号消息，近日，松山湖佰维存储晶圆级封测项目正式动工开建，预计将于2025年全面投产。据悉，松山湖佰维存储晶圆级封测项目由深圳佰维存储科技股份公司子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司投资建设，项目用地已于今年5月30日成功摘牌。用地面积约102亩，总投资30.9亿元，专注于晶圆中段制造和测试，高带宽存储内存封测技术研发，提供12英寸晶圆凸块（bumping）、再布线加工(RDL)和

近日，南京浦口区2024年省市重大项目之一的南京伟测集成电路芯片晶圆级及成品测试基地项目顺利通过竣工验收备案。该项目的竣工验收标志着即将进入正式生产阶段。该项目主体为南京伟测半导体科技有限公司，于2021年1月成立，系伟测科技子公司。该项目总投资9亿元，总建筑面积约5.5万平方米，建设集成电路晶圆测试线和成品测试线。投产后企业产能将达到年测试80万片晶圆、20亿颗芯片。南京伟测半导体科技有限公司是

来源：蔡司显微镜黄承梁随着显微镜技术的发展，半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上，而是希望通过硬件和软件方案的相结合，提高失效分析（FA）的效率、准确率，并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。为此，蔡司提供客制化的软件解决方案，利用AI技术，在分类（classification）、图像分割（segmentation）和图像处理（processing）三大应用方向上助力半导体失效

3D NANDFlash存储器的超快蚀刻技术是当前半导体制造领域的重要突破之一。这项技术主要通过在极低温度下进行高纵横比（High-Aspect-Ratio, HAR）蚀刻，以实现对存储通道孔洞和沟槽的高效、精确加工。 根据东京电子和Lam Research等公司的最新研发进展，这种新型蚀刻技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比蚀刻。这不仅显著缩短了传统蚀刻工艺所需的时间，还提高了蚀刻