据氢基新能科技官微消息，日前，集成电路新材料第四代半导体MPCVD金刚石材料及高端晶圆生产基地项目正式动土建设。据悉，半导体项目用地165亩，总投资约30亿元。项目将引进先进的MPCVD金刚石材料生产线、12英寸电子级大晶圆材料生产线等高端智能制造设备，通过融入智能化制造、智慧化管理，打造全新智能化绿色半导体材料生产企业。项目全部建成后，预计达到年产480万片的产能规模。项目的实施，不仅将有力填补

2025年7月17日——莱迪思半导体公司（NASDAQ：LSCC），低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布其低功耗莱迪思CertusPro™-NX FPGA将支持三菱电机的计算机数控控制器（CNC）解决方案，为客户带来高能效、高可靠性的工厂自动化体验。双方在东京举行的莱迪思亚太区技术峰会上宣布了该项合作，三菱电机作为主讲嘉宾参加了此次峰会。莱迪思亚太技术峰会于今天举行，莱迪思与三菱电机、德赛、Fu

7月22日，珂玛科技发布晚间公告称，公司拟以现金1.02亿元，收购苏州铠欣半导体科技有限公司（简称“苏州铠欣”）73%的股权。公告显示，被收购方苏州铠欣依托自主研发，在CVD碳化硅陶瓷零部件相关技术与工艺方面有丰富积累和持续研发能力，目前产品已经在Si外延、SiC外延、GaN外延等领域实现规模化应用，碳化硅刻蚀环、碳化硅喷淋头、12英寸Si外延用碳化硅涂层石墨基座等先进产品的开发已取得良好进展。珂

据晶越半导体官微消息，晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，近日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。公开资料显示，浙江晶越半导体有限公司成立于2020年7月21日，现阶段主要聚焦于6-8英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产与销售。在未来，晶越将持续投

据外媒报道，当地时间周三，AMD首席执行官苏姿丰表示，AMD从台积电在美晶圆厂TSMC Arizona获取芯片的成本比从台积电位于中国台湾地区的晶圆厂购买要高出5~20%。根据苏姿丰的说法，TSMC Arizona 晶圆厂的良率已与台积电中国台湾地区晶圆厂相当，AMD 预计将在年内获得首批来自 TSMC Arizona 的芯片产品。【杂志订阅】首发专享，限时免费！《SiC》电子专刊第二期上线！立即

iDEAL的SuperQ技术正式量产，推出150V与200V MOSFET，展示业界领先的性能指标美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了

自清华大学官网获悉，近日，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。随着集成电路工艺向7nm及以下节点不断推进，13.5 nm波长的EUV光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。但EUV光源反射损耗大、亮度低等特点，对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺

【2025年7月27日，上海】在2025世界人工智能大会（WAIC）上，曦智科技以“光电融合突破算力边界”为主题，全方位呈现了其“光子计算+光子网络”两大产品线的最新成果，特别是在光互连光交换技术领域取得的一系列突破性进展。曦智科技正以坚实的“硅光子”技术底座，构建智算集群新范式，并以此荣膺世界人工智能领域的高规格、国际化奖项“SAIL奖”，获得了产业界与学术界的广泛认可。行业前瞻：曦智论道未来算

近日，东山精密发布公告称，旗下全资子公司超毅集团（香港）有限公司或其子公司将投资不超过10亿美元（约合人民币71.68亿元）建设高端印制电路板（PCB）项目，聚焦高速运算服务器、人工智能（AI）等新兴场景的中长期需求。公告显示，该项目投资金额预计不超过10亿美元，主要用于现有产能的提升及新产能的建设，重点布局高密度互连、高速信号传输等高端PCB产品。东山精密旗下超毅事业部（Multek）作为PCB

据台媒报道，台积电2纳米制程产能规模较3纳米再提升，竹科宝山F20厂2nm月产能现已提升至3万片，高雄F22厂则为6000片。预计至2025年12月，竹科、高雄两厂合计达4万片，2026年1月再提升至5.3万片，2026年中将达8.5万片，2026年底将达10万片，2028年月产能更将冲上20万片。该工艺节点或将成为台积电产能最高的先进制程，成为重要的营收来源。据了解，台积电的2nm N2工艺是其