据晶越半导体官微消息，晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，近日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。

公开资料显示，浙江晶越半导体有限公司成立于2020年7月21日，现阶段主要聚焦于6-8英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产与销售。

在未来，晶越将持续投入研发、专注于打磨产品、提高良率和参数优化，努力打造国内领先碳化硅材料提供商。

【杂志订阅】首发专享，限时免费！《SiC》电子专刊第二期上线！立即扫码订阅：https://www.sbs-mag.com/subscribe_active.html?invitation_code=active name=CSC